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达摩院-SRAM/FIP定制电路工程师-RISC V及生态

未披露 · 北京 / 杭州 / 上海 · 阿里巴巴控股集团

主分类:芯片设计与验证
硬件、电子与电气研发
来源 JD 数据(旧分类保留,当前主分类见上方)
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        "company_description": "阿里巴巴集团面向消费者和企业提供电子商务、云计算及人工智能服务。"
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        "degree": " 微电子、集成电路、电气或计算机工程专业本科/硕士/博士学位",
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        "responsibilities": " 面向高性能SRAM, 基础IP或标准单元(如触发器、脉冲锁存器、逻辑触发器、特殊复杂单元等)的设计、验证及库生成。与晶圆厂开展DTCO(设计/工艺协同优化)\n 针对性能、功耗和面积(PPA)以及良率优化SRAM/定制电路。 \n 开发定制版图并执行物理验证(例如,DRC、LVS)。 \n 开展大量电路仿真,以验证SRAM的功能与性能、电气完整性及鲁棒性。 \n 开发并改进SRAM/定制电路设计方法,包括用于设计、仿真和验证的自动化脚本。 \n 与高性能CPU/SOC物理设计团队合作,提升产品PPA竞争力。 \n 与产品工程师和测试工程师协作,制定测试方案并支持芯片流片。",
        "requirements_text": " 微电子、集成电路、电气或计算机工程专业本科/硕士/博士学位,且具有3年以上行业经验。 \n 具备存储器或定制电路设计经验,曾有成功交付。有CPU/GPU 设计经验者优先。 \n 深入理解半导体器件物理及工艺技术(CMOS、FinFET等)。 \n 精通SRAM架构,包括bitcell、读取放大器、写入驱动器以及读写控制路径。 \n 具备丰富的时序分析、功耗分析、EMIR、可制造性设计(DFM)及margining分析经验。 \n 熟练使用设计工具、电路仿真工具、variation分析工具及物理验证工具,如Virtuoso、HSPICE、Spectre、Finesim、Nanosim、liberate、StarRC/QRC、Calibre、波形查看器等。 \n 熟悉库文件格式,如LEF、NLDM、CCS、LVF、GDS、LPE、CIR、CDL、SPI、PGV等。 \n 掌握脚本语言(例如Python、Perl、TCL、make),用于设计任务的自动化处理。 \n 具备silicon调试及根本原因分析背景。 \n 有业界Memory Compilers使用经验者优先。 \n 自我驱动力强,注重细节,具备出色的分析能力、沟通与表达能力,擅长跨职能协作与团队合作。",
        "skills": [AI生成
            "Python",
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    "fulltext": "达摩院-SRAM/FIP定制电路工程师-RISC V及生态\n达摩院-SRAM/FIP定制电路工程师-RISC V及生态\n\n基础信息\n职位类别:技术-芯片\n工作地点:北京 / 杭州 / 上海\n\n职位描述\n 面向高性能SRAM, 基础IP或标准单元(如触发器、脉冲锁存器、逻辑触发器、特殊复杂单元等)的设计、验证及库生成。与晶圆厂开展DTCO(设计/工艺协同优化)\n 针对性能、功耗和面积(PPA)以及良率优化SRAM/定制电路。 \n 开发定制版图并执行物理验证(例如,DRC、LVS)。 \n 开展大量电路仿真,以验证SRAM的功能与性能、电气完整性及鲁棒性。 \n 开发并改进SRAM/定制电路设计方法,包括用于设计、仿真和验证的自动化脚本。 \n 与高性能CPU/SOC物理设计团队合作,提升产品PPA竞争力。 \n 与产品工程师和测试工程师协作,制定测试方案并支持芯片流片。\n\n职位要求\n 微电子、集成电路、电气或计算机工程专业本科/硕士/博士学位,且具有3年以上行业经验。 \n 具备存储器或定制电路设计经验,曾有成功交付。有CPU/GPU 设计经验者优先。 \n 深入理解半导体器件物理及工艺技术(CMOS、FinFET等)。 \n 精通SRAM架构,包括bitcell、读取放大器、写入驱动器以及读写控制路径。 \n 具备丰富的时序分析、功耗分析、EMIR、可制造性设计(DFM)及margining分析经验。 \n 熟练使用设计工具、电路仿真工具、variation分析工具及物理验证工具,如Virtuoso、HSPICE、Spectre、Finesim、Nanosim、liberate、StarRC/QRC、Calibre、波形查看器等。 \n 熟悉库文件格式,如LEF、NLDM、CCS、LVF、GDS、LPE、CIR、CDL、SPI、PGV等。 \n 掌握脚本语言(例如Python、Perl、TCL、make),用于设计任务的自动化处理。 \n 具备silicon调试及根本原因分析背景。 \n 有业界Memory Compilers使用经验者优先。 \n 自我驱动力强,注重细节,具备出色的分析能力、沟通与表达能力,擅长跨职能协作与团队合作。\n 面向高性能SRAM, 基础IP或标准单元(如触发器、脉冲锁存器、逻辑触发器、特殊复杂单元等)的设计、验证及库生成。与晶圆厂开展DTCO(设计/工艺协同优化)\n 针对性能、功耗和面积(PPA)以及良率优化SRAM/定制电路。 \n 开发定制版图并执行物理验证(例如,DRC、LVS)。 \n 开展大量电路仿真,以验证SRAM的功能与性能、电气完整性及鲁棒性。 \n 开发并改进SRAM/定制电路设计方法,包括用于设计、仿真和验证的自动化脚本。 \n 与高性能CPU/SOC物理设计团队合作,提升产品PPA竞争力。 \n 与产品工程师和测试工程师协作,制定测试方案并支持芯片流片。\n 微电子、集成电路、电气或计算机工程专业本科/硕士/博士学位,且具有3年以上行业经验。 \n 具备存储器或定制电路设计经验,曾有成功交付。有CPU/GPU 设计经验者优先。 \n 深入理解半导体器件物理及工艺技术(CMOS、FinFET等)。 \n 精通SRAM架构,包括bitcell、读取放大器、写入驱动器以及读写控制路径。 \n 具备丰富的时序分析、功耗分析、EMIR、可制造性设计(DFM)及margining分析经验。 \n 熟练使用设计工具、电路仿真工具、variation分析工具及物理验证工具,如Virtuoso、HSPICE、Spectre、Finesim、Nanosim、liberate、StarRC/QRC、Calibre、波形查看器等。 \n 熟悉库文件格式,如LEF、NLDM、CCS、LVF、GDS、LPE、CIR、CDL、SPI、PGV等。 \n 掌握脚本语言(例如Python、Perl、TCL、make),用于设计任务的自动化处理。 \n 具备silicon调试及根本原因分析背景。 \n 有业界Memory Compilers使用经验者优先。 \n 自我驱动力强,注重细节,具备出色的分析能力、沟通与表达能力,擅长跨职能协作与团队合作。",
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